SK海力士正在将下一代NAND的更低电阻竞争重点，从单纯的从钨到钼层数提升，转向材料创新。海力

根据6月11日的士下报道，SK海力士计划于年底前启动375层3D NAND闪存的聚焦量产，此产品已完成生产验证，更低电阻并准备转移至量产线。从钨到钼此次量产将通过改造现有设施，海力而不是士下新建工厂，利用清州的聚焦M15厂区，当前生产176层、更低电阻238层和321层NAND产品。从钨到钼

这款产品在内部曾被称为“400层级”NAND，海力最终调整为375层，士下原因在于层数越高，聚焦制造工艺的复杂性和良率都会受到影响。

行业消息人士指出，SK海力士的未来计划还包括480层和604层产品。

材料创新优于层数增高

此次重大的变化是，SK海力士计划在375层产品中使用钼，部分替代用于金属栅极的钨薄膜。

NAND通过垂直堆叠存储单元和控制字线来提升容量，但层数增加会导致传统钨材料的电阻上升。

钼被认为是解决这一问题的理想材料。研究表明，钼的电阻通常可比传统钨材料改善超过50%；此外，随着字线层厚度的减薄，钨的电阻上升影响性能，因此低电阻材料如钼和钌成为研究重点。

低电阻在NAND中带来的优势包括更快的信号传输，以及更低的功耗。虽然这不会立即导致单芯片性能的显著跃升，但显示高层数NAND的挑战不仅在于层数的叠加，也在于性能、功耗和可靠性的保持。

三星已率先采用钼材料

SK海力士并非唯一探索钼材料的厂商。报道称，三星电子已在其2024年量产的286层第九代3D NAND中引入钼，并计划在第十代产品中进一步扩大钼的应用。

因此，375层NAND不仅是SK海力士的技术提升，也是其在同业竞争中追赶材料创新的体现。SK海力士在高层堆叠方面动作迅速，已宣布将于2024年量产321层NAND，并计划于2025年推出321层2Tb QLC NAND，以应对大容量存储的需求。

AI存储需求推动NAND升级

这轮NAND的升级适逢AI存储需求急剧增加。SK海力士在OCP Global Summit上提议AI-NAND产品线，旨在提升性能、带宽和密度，以满足快速、高效处理数据的需求。

近期报道称，英伟达与SK集团达成长期合作，SK海力士将为全球AI数据中心开发先进存储，预计现有产能尚不足以支撑未来AI需求。

375层NAND的量产能否如期推进，依赖于M15产线的改造、良率提升及客户验证。未来的关注点不仅在于SK海力士能否叠加更多层数，而是钼材料是否能在高层数产品中有效应用。